FLLD261

Версия для печати

Технические характеристики FLLD261

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.4V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	5nA @ 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	250mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Reverse Recovery Time (trr)	400ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Series Connection
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BCR133E6327		INFINEON	385	12.00
BCR133E6327		INFINEON	1 248
BCR133E6327		Infineon Technologies
BCR133E6327
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	48
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	3 495	17.56
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		328	7.36
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TR
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TRR	192	4.13
L5973D013TR		ST MICROELECTRONICS	32	79.75
L5973D013TR				210.40
L5973D013TR		ST MICROELECTRONICS SEMI
L5973D013TR		STMicroelectronics
L5973D013TR		ST MICROELECTRO
L5973D013TR		STMICROELECTR
L5973D013TR		4-7 НЕДЕЛЬ
L5973D013TR		15
RC0805JR-07100RL				14.44
RC0805JR-07100RL		PHYCOMP
RC0805JR-07100RL		YAGEO	555 868	1.82 >100 шт. 0.91
RC0805JR-07100RL		PHYCOMP
RC0805JR-07100RL		YAGEO	2 666
RL0805FR-070R33L		YAGEO
RL0805FR-070R33L