Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
Power - Max | 200mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
1 660
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
15 749
|
2.20
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
313
|
1.79
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
3 596
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 281
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
6 583
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
1 164 892
|
1.16
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
607 894
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KOME
|
10
|
1.97
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
256 494
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
46 698
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
JINGDAO
|
137 758
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XXW
|
408 000
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
14 129
|
2.29
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 219
|
3.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
566 745
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.63
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
7 462
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
144 347
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
79 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
172 515
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
D15XB60-7000 |
|
|
|
|
209.20
|
|
|
|
D15XB60-7000 |
|
|
SHINDENGEN
|
|
|
|
|
|
FGH50N3(PRFMD) |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор
|
TOS
|
|
|
|
|
|
GT35J321 |
|
Биполярный транзистор
|
|
|
1 720.00
|
|