BUK9508-55A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 92nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6021pF @ 25V |
| Power - Max | 253W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 93C86CT-I/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| 93C86CT-I/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| 93C86CT-I/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
| BUK9508-55B | NXP |
|
|
|||||
| C8051F340-GQR | SILAB |
|
|
|||||
| C8051F340-GQR | SLAB |
|
|
|||||
| C8051F340-GQR | 44 | 605.47 | ||||||
| C8051F340-GQR | SILICON LABS |
|
|
|||||
| C8051F340-GQR | SILICON LABS |
|
|
|||||
| C8051F340-GQR | SILICON LABORATORIES |
|
|
|||||
| C8051F340-GQR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 217 |
|
|||||
| C8051F340-GQR | SILICON LAB | 362 | 525.00 | |||||
 |
 |
IRL3705N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | INTERNATIONAL RECTIFIER | 4 | 158.76 | |
|
|
|
IRL3705N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) |
|
86.56 | ||
|
|
|
IRL3705N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRL3705N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRL3705N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | JSMICRO | 627 | 29.29 |
