IRL3705N
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
Транзистор полевой N-MOS |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 46A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 89A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 98nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3705NL (N-канальные транзисторные модули) 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL3705NS, IRL3705NSTRL, IRL3705NSTRR
Производитель:
|
