C8051F340-GQR
|
|
Версия для печати
| Производитель | Silicon Laboratories Inc. |
| Количество в упаковке | 500 шт. |
| Вес | 0.542 г |
| Архитектура | 8051 |
| Flash | 64K byte |
| RAM | 5.25K byte |
| Напряжение питания | CORE: 2.7…5.25 В, IO: 2.7…5.25 |
| АЦП | 17 x 10bit (200SPS) |
| Сторожевой таймер | есть |
| Часы реального времени | есть |
| Универсальный последовательный порт | 2 шт |
| Количество USB Device | 1 шт |
| Корпус (размер) | TQFP48 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2РМДТ27КПЭ19Ш5В1В | 84 | 1 611.00 | |||||
|
|
2РМДТ27КПЭ19Ш5В1В | ЭЛЕКОН | 21 | 5 397.84 | ||||
|
|
2РМДТ27КПЭ19Ш5В1В | ИСЕТЬ |
|
|
||||
| ВП2Б-1В 8 А | РАДИОДЕТАЛЬ | 1 432 | 47.84 | |||||
 |
 |
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | 179 | 31.28 | ||
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | КРЕМНИЙ | 800 | 26.46 | |
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | БРЯНСК | 1 572 | 37.80 | |
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| С2-33Н-0,5-2 КОМ-5% |
|
|
||||||
| ФМ2-Б | 98 | 230.00 |
