TECAP 22/10V B 10

Версия для печати

Технические характеристики TECAP 22/10V B 10

Номинальное напряжение	10 В
Емкость	22 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	3528-21
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-4.70K 1%	ЧИП — резистор 4,7кОм, 1%			1.24
2SA1300	Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	TOSHIBA
2SA1300	Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	DC COMPONENTS
2SA1300	Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	TOS
2SA1300	Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz			10.48
2SA1300	Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	МАЛАЙЗИЯ
AD7822BRU		ANALOG DEVICES
AD7822BRU		ANALOG DEVICES
AD7822BRU		Analog Devices Inc
AD7822BRU
AD7822BRU		4-7 НЕДЕЛЬ	781
AD8610AR			31	1 021.21
AD8610AR		Analog Devices Inc
AD8610AR		ANALOG DEVICES
AD8610AR			31	1 021.21
AD8610AR		ANALOG DEVICES
AD8610AR		4-7 НЕДЕЛЬ	190
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor			18.00
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS	40
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	JSMICRO	1 803	5.00