|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
79 440
|
1.07
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.61
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
115 400
|
2.07
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
138 072
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
21 763
|
1.38
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
38 309
|
1.02
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
62 866
|
1.42
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
54 368
|
1.04
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
L-934YT |
|
Единичный светодиод 3мм, желтый, 10-50мКд
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-934YT |
|
Единичный светодиод 3мм, желтый, 10-50мКд
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-934YT |
|
Единичный светодиод 3мм, желтый, 10-50мКд
|
|
|
6.68
|
|
|
|
L-934YT |
|
Единичный светодиод 3мм, желтый, 10-50мКд
|
KGB
|
3 336
|
5.53
|
|
|
|
L-934YT |
|
Единичный светодиод 3мм, желтый, 10-50мКд
|
KBRT
|
1
|
5.40
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
56
|
62.34
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
|
4 747
|
39.14
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 236
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
453
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 700
|
41.58
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
6
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
|
3 859
|
56.70
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
489
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
|
|
704.44
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
532
|
|
|