|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD2391T100Q |
|
|
|
|
248.00
|
|
|
|
2SD2391T100Q |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
2SD2391T100Q |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2SD2391T100Q |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
|
37 231
|
1.21
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
4 335
|
16.34
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
40 131
|
1.88
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
LGE
|
22 040
|
1.98
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
|
|
150.24
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM3915N-1 |
|
Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
765
|
|
|
|
|
MBI5026GD |
|
Драйвер интегральный
|
MBI
|
|
|
|
|
|
MBI5026GD |
|
Драйвер интегральный
|
|
|
117.76
|
|
|
|
MBI5026GD |
|
Драйвер интегральный
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MBI5026GD |
|
Драйвер интегральный
|
MACROBLOCK
|
|
|
|
|
|
MBI5026GD |
|
Драйвер интегральный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
306
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 290
|
11.56
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|