| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-NP0-100PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 100пФ, 50В, 0603
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0603-NP0-100PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 100пФ, 50В, 0603
|
|
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
400
|
10.93
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
|
2 428
|
1.90
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
932
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SUNTAN
|
683
|
1.51
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
XXW
|
199
|
1.31
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
16 644
|
1.21
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
1 199
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
121 655
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
|
1 600
|
1.90
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
18 888
|
1.21
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
|
13 120
|
3.16
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
13
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KLS
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
HOTTECH
|
43 100
|
17.22
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
SMCMICRO
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
LGE
|
1 407
|
8.57
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KEENSIDE
|
11
|
8.06
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
YUNYI
|
3 072
|
9.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
201 542
|
2.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
61 558
|
2.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
7 760
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 349 742
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
54 803
|
1.26
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 863
|
2.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 294 816
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
136 040
|
1.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
90 986
|
3.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
220 800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
20
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
52 127
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
589 516
|
1.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
XXW
|
756 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|