| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
400
|
9.83
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
|
11 229
|
1.97
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
932
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SEMTECH
|
40
|
1.68
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SUNTAN
|
644
|
1.45
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
XXW
|
177
|
1.76
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
19 387
|
1.16
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
1 199
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
121 655
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
|
6 280
|
1.97
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
19 936
|
1.16
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
|
19 068
|
3.69
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
HOTTECH
|
14 224
|
10.33
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
SMCMICRO
|
4 390
|
10.50
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
KEENSIDE
|
3
|
4.65
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
LGE
|
5 632
|
13.02
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
YUNYI
|
2 784
|
11.60
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
KEEN SIDE
|
6 672
|
3.81
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.68
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
90 384
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.04
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
8 296
|
2.27
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
39 702
|
1.32
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.71
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.37
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
67 224
|
1.05
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
215 212
|
2.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
41 163
|
1.13
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
68
|
1.09
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
24 814
|
101.25
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
5
|
100.62
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
93.50
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
294
|
|
|