06033A101KAT2A

Версия для печати

Технические характеристики 06033A101KAT2A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Емкость	100pF
Номинальное напряжение	25V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Температурный коэфициент	C0G, NP0
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Size / Dimension	0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm)
Thickness	0.035" (0.90mm)
Тип	Керамический
Tolerance	±10%

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS	23
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor	NXP
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP	6 846
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS	30 963
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	FAIR
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	FAIRCHILD
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	FAIRCHILD	930
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	Fairchild Semiconductor
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor		7 200	7.93
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	ONS	1 629	9.15
MMBD914		FAIR
MMBD914			8	6.00
MMBD914		FAIRCHILD
MMBD914		INFINEON
MMBD914		FAIRCHILD	678
MMBD914		INFINEON	22
MMBD914		MCC
MMBD914		Fairchild Semiconductor
MMBD914		ONS-FAIR
MMBD914		PANJIT	32 000
RC0201FR-074K7L		YAGEO	1 016 153	0.50 >1000 шт. 0.10
RC0201FR-074K7L		YAGEO	12 307
RC0201FR-074K7L			64	1.08 >500 шт. 0.36