|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CA25-11GWA |
|
Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
KB
|
|
|
|
|
|
CA25-11GWA |
|
Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
CA25-11GWA |
|
Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CA25-11GWA |
|
Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CA25-11GWA |
|
Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
|
|
174.20
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
2 460
|
27.75
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
75.60
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
|
|
105.20
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ44ES |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ44ES |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
224.00
|
|
|
|
SMA-BJ1 |
|
SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта
|
|
2 400
|
50.73
|
|
|
|
SMA-BJ1 |
|
SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта
|
BM
|
|
|
|
|
|
SMA-BJ1 |
|
SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта
|
RUICHI
|
15
|
82.35
|
|