Версия для печати
Технические характеристики IRFR3708

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	61A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2417pF @ 15V
Power - Max	87W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR3708 30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR3708 datasheet 129.64Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	FAIR
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	NXP
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	ON SEMICONDUCTOR
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	DC COMPONENTS	7 881	1.05
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	MICRO SEMICONDUCTOR
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	INFINEON
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения			8.68
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	DIOTEC	4 269	2.06
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	INFINEON	254
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	NXP	35 054
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	0.00
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	HOTTECH	18 106	2.18
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	1
		BAS40		Диоды шоттки общего назначения	JSCJ	88 356	1.50  >100 шт.   0.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		2 660	27.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS	240	157.69
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	75.60
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W			105.20
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	МЕКСИКА
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INFINEON
		IRLR2905TRPBF		N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLR2905TRPBF		N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W	INTERNATIONAL RECTIFIER	795
		IRLR2905TRPBF		N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W	INFINEON	11 139	49.80
		IRLR2905TRPBF		N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W		1 960	40.19
		КЛЕММНИК 308-021-12			KRN
		КЛЕММНИК 308-021-12				4	24.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"