Версия для печати
Технические характеристики IRFR3708

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	61A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2417pF @ 15V
Power - Max	87W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR3708 30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR3708 datasheet 129.64Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA25-11GWA		Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	KB
		CA25-11GWA		Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	KINGBRIGHT
		CA25-11GWA		Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA25-11GWA		Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд	КИТАЙ
		CA25-11GWA		Сегментный светодиод 6.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд			174.20
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		2 460	27.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	75.60
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W			105.20
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	МЕКСИКА
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INFINEON
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44ES		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44ES		Hexfet power mosfets discrete n-channel			224.00
		SMA-BJ1		SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта		2 400	50.73
		SMA-BJ1		SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта	BM
		SMA-BJ1		SMA гнездо, приборный фланец, пайка, 2 винта	RUICHI	15	82.35

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"