|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-680 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
128
|
0.84
>500 шт. 0.28
|
|
|
|
CC0805JRNP09BN100 |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNP09BN100 |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNP09BN100 |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNP09BN100 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNP09BN100 |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNP09BN100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
3 784
|
43.27
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMH-C150 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROADCOM
|
15
|
33.06
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
646 496
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
31 699
|
3.51
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
13 340
|
3.30
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
547
|
2.69
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
|
4
|
118.44
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
24
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
TEXAS
|
630
|
37.68
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
1
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
|
Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|