|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HMC545AE |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
HMC545AE |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
134 811
|
2.69
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
16 512
|
5.01
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
88 506
|
2.72
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
31 772
|
5.15
|
|
|
|
LQH43CN4R7M03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=4.7 uH +/-20%, 750mA , 4.5x3.2x3.2mm, -25 to +85C).
|
MURATA
|
1 977
|
23.45
|
|
|
|
LQH43CN4R7M03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=4.7 uH +/-20%, 750mA , 4.5x3.2x3.2mm, -25 to +85C).
|
|
|
|
|
|
|
LQH43CN4R7M03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=4.7 uH +/-20%, 750mA , 4.5x3.2x3.2mm, -25 to +85C).
|
MUR
|
7 163
|
16.42
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
|
5 984
|
6.20
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
BM
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NXU
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NLT
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
КИТАЙ
|
152
|
12.40
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
RUICHI
|
1 489
|
8.52
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
272
|
197.04
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|