| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
DC COMPONENTS
|
26 400
|
2.35
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
|
16 360
|
1.07
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
6 433
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YANGJIE
|
62 400
|
1.28
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JSCJ
|
20 328
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
 |
 |
MURS120T3 |
|
SMB
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
|
112
|
10.50
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MURS120T3 |
|
SMB
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH063M0100B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В
|
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
489.60
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
|
1
|
544.80
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
|
116
|
73.50
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
2 296
|
92.00
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
14
|
24.00
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|
Версия для печати
