Версия для печати
Технические характеристики SK063M2200B7F-1836

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	63 В
Ток утечки	1386 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.09
Максимальный ток пульсаций	2000 А
Шаг выводов	7.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 18x36
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	2200 мкФ
Серия	SK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	DC COMPONENTS	36 554	1.49
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA		16 360	1.86  >100 шт.   0.93
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIR
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIRCHILD
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	GALAXY
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIRCHILD	6 433
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	КИТАЙ
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	GALAXY ME
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FSC
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	ONS-FAIR
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	JANGJIE
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	YANGJIE	48 000	1.42  >100 шт.   0.71
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	HOTTECH
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	ONS
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	JSCJ	39 717	1.14  >100 шт.   0.57
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	YJ	16 373	1.32  >100 шт.   0.66
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	SUNCO	22 702	1.28  >100 шт.   0.64
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS	26	394.30
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц		20	572.04
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	STMICROELECTRONICS
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	СИНГАПУР
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST1
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRO
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	1
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	4-7 НЕДЕЛЬ	196
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ЗПП
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ИНТЕГРАЛ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МЕЗОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МИКРОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ХАБАРОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	АЗОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	МИНСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	ЗПП МИНСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	И-ФРАНКОВСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	РОДОН
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП		3	37.00
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	RUS
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	НОВОСИБИРСК
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	СПЛАВ
		К561ЛА7		4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП	РОССИЯ	738	40.50
		К73-17-400-0.47 10%		Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%			13.04
		К73-17-400-0.47 10%		Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%	SUNTAN
		К73-17-400-0.47 10%		Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%	КЗК
		К73-17-400-0.47 10%		Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%	КИТАЙ
		К73-17-400-0.47 10%		Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%	ПРОМТЕЗКЗК
		К73-17-400-0.47 10%		Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%	ПРОМТЕХКЗК
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...		468	80.96
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	КРЕМНИЙ	80	81.98
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	БРЯНСК	2 736	97.52
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	МИНСК
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	RUS
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	КРЕМНИЙ ЭЛ
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	3423
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	88

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"