SK063M2200B7F-1836


Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В

Купить SK063M2200B7F-1836 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SK063M2200B7F-1836
Версия для печати

Технические характеристики SK063M2200B7F-1836

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение63 В
Ток утечки1386 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь0.09
Максимальный ток пульсаций2000 А
Шаг выводов7.5 мм
Срок службы2000 Ч
Размер корпусаф 18x36
Рабочая температура-40...85 °C
For General
Емкость2200 мкФ
СерияSK
Корпус (размер)Radial
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   DC COMPONENTS 35 874 1.41 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA     16 360 1.86 
>100 шт.   0.93 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FAIRCHILD 6 433 цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   ONS-FAIR 87 456 1.67 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   JANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   YANGJIE 48 000 1.46 
>100 шт.   0.73 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   JSCJ 38 359 1.28 
>100 шт.   0.64 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   YJ 16 373 1.42 
>100 шт.   0.71 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   SUNCO 20 622 1.36 
>100 шт.   0.68 
MURS120T3 SMB   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
MURS120T3 SMB   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MURS120T3 SMB     112 11.04 
MURS120T3 SMB   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
MURS120T3 SMB   ON SEMICONDUCTOR 22 цена радиодетали
    SH063M0100B5S-1012 Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SH063M0100B5S-1012 Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SH063M0100B5S-1012 Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SH063M0100B5S-1012 Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63 В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRONICS 26 394.30 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц     20 572.04 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   СИНГАПУР Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   4-7 НЕДЕЛЬ 196 цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...     472 80.96 
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   КРЕМНИЙ 80 81.98 
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   БРЯНСК 2 680 97.52 
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   ВОРОНЕЖ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   КРЕМНИЙ ЭЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   3423 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ805АМ Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...   88 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход