PMV213SN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
PMV213SN	4	30.72
PMV213SN (NXP.)	133	3-4 недели Цена по запросу
PMV213SN (NXP/NEXPERIA)	1 376	7.85

Версия для печати

Технические характеристики PMV213SN

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 20V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMV213SN (MOSFET)

N-канальный uTrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PMV213SN datasheet
247.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM18BB100SN1D	Частотный фильтр	MURATA
BLM18BB100SN1D	Частотный фильтр		72	5.84
BLM18BB100SN1D	Частотный фильтр	MURATA
BLM18BB100SN1D	Частотный фильтр	Murata Electronics North America
BLM18BB100SN1D	Частотный фильтр	0.00
KP-1608YC	SMD индикатор	KB
KP-1608YC	SMD индикатор	KINGBRIGHT
KP-1608YC	SMD индикатор			6.08
KP-1608YC	SMD индикатор	KINGBRIGHT	835
KP-1608YC	SMD индикатор	КИТАЙ
KP-1608YC	SMD индикатор	KGB	1 331	12.40
PCA9600D		NXP
PCA9600D				810.00
PCA9600D		NXP
PCA9600D		4-7 НЕДЕЛЬ	77
SN65HVD234D		TEXAS INSTRUMENTS	16	90.63
SN65HVD234D			18	101.75
SN65HVD234D		США
SN65HVD234D		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
SN65HVD234D		TEXAS
SN65HVD234D		4-7 НЕДЕЛЬ	680
SN65HVD234D		20
ЧИП 0603 300 5%		KOME
ЧИП 0603 300 5%		YAGEO