Версия для печати
Технические характеристики IRGB14C40L

Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.75V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	430V
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа	Logic
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRGB14C40L (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRGB14C40L datasheet 157.06Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	SEMICRON
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	SMK
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	EIC
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	DC COMPONENTS	7 546	8.13
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в		8 480	7.01
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	ST MICROELECTRONICS	1	34.16
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	Littelfuse Inc
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	КИТАЙ	80	32.13
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	SYN SEMI
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	GALAXY
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	MOTOROLA
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	LTL
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	MIC
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	LITTELFUSE
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	WAYON
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	VISHAY
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	YJ	2 949	9.16
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	GENERAL
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	HOTTECH
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	1
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	SUNMATE
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	JJM	2 040	9.55
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	KOME
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	SUNTAN	75	9.75
		1.5KE18A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 18в	KEEN SIDE	5 904	4.73
		IRGS14C40L		IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER	10	157.50
		IRGS14C40L		IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK			168.00
		IRGS14C40L		IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INFINEON
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)		5 760	19.05
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ONS	58	32.67
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ONS-FAIR
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	4-7 НЕДЕЛЬ	452
		ULN2004ADR		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMENTS	838	29.96
		ULN2004ADR		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMENTS	666
		ULN2004ADR		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	TEXAS
		ULN2004ADR		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
		ULN2004ADR		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	1
		ULN2004ADR		7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS	4-7 НЕДЕЛЬ	261
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	49	1 009.26
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		1	462.50
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	144	1 533.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"