Версия для печати
Технические характеристики IRGB14C40L

Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.75V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	430V
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип входа	Logic
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRGB14C40L (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRGB14C40L datasheet 157.06Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRGS14C40L		IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGS14C40L		IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK			168.00
		IRGS14C40L		IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INFINEON
		IRGS14C40LPBF		Полупроводниковый компонент, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGS14C40LPBF		Полупроводниковый компонент, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGS14C40LPBF		Полупроводниковый компонент, D2PAK	INFINEON
		IRGS14C40LPBF		Полупроводниковый компонент, D2PAK
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	NSC
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)		16	94.72
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	КИТАЙ
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	TEXAS
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	HGSEMI	1 910	21.28
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	759
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)			100.00
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ONS	2 635	36.01
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ONS-FAIR
		NCP1117ST33T3G		Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	4-7 НЕДЕЛЬ	645
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	4	899.64
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		3	414.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	211	1 533.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"