|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AMS1117-1.8 SOT-223 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
|
496.00
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
172
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
790
|
425.22
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16PU |
|
8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
678
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
|
16
|
94.72
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
HGSEMI
|
1 910
|
21.01
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
396
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
|
6 400
|
14.99
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ONS
|
2 617
|
35.57
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
NCP1117ST33T3G |
|
Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 075
|
28.06
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
666
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS
|
624
|
28.97
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
1
|
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
261
|
|
|