|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 420pF @ 25V |
Power - Max | 2.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
IRFL4315 150V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA SOT-223 Package
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
249ЛП10Р | 1 | 1 925.00 | ||||||
293D336X9016C2TE3 | Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В | SPRAGUE | ||||||
293D336X9016C2TE3 | Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В | Vishay/Sprague | ||||||
293D336X9016C2TE3 | Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В | VISHAY | 5 200 | 21.23 | ||||
293D336X9016C2TE3 | Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В | |||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | PHILIPS | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | NXP | 7 094 | 1.48 | ||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | DC COMPONENTS | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | |||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | NXP | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | PHILIPS | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | KINGTRON | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | YJ | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | EIC | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | YANGJIE (YJ) | ||||||
BZV55-C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | HOTTECH | ||||||
MAX17602ASA+ | MAX | |||||||
MAX17602ASA+ | ||||||||
RC2010FK-071RL | YAGEO | 4 339 | 2.37 | |||||
RC2010FK-071RL |
|