SS12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SS12	11 200	1.76 >100 шт. 0.88
SS12 (DC COMPONENTS)	6 408	1.79
SS12 (FAIRCHILD.)	14	3-4 недели Цена по запросу
SS12 (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	37	3-4 недели Цена по запросу
SS12 (MIC)	21 521	1.26
SS12 (YJ)	37 064	2.08

Версия для печати

Технические характеристики SS12

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	500mV @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 20V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D336X9016C2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	SPRAGUE
293D336X9016C2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	Vishay/Sprague
293D336X9016C2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	VISHAY	4 240	18.63
293D336X9016C2TE3	Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
C503B-BAS-CY0C0461		CREE
C503B-BAS-CY0C0461		Cree Inc
C503B-BAS-CY0C0461
C503B-BAS-CY0C0461		CREEINC
C503B-RAN-CY0B0AA1		CREE
C503B-RAN-CY0B0AA1				18.36
C503B-RAN-CY0B0AA1		Cree Inc
C503B-RAN-CY0B0AA1		CREEINC
SN74LVC00AD	Quad 2Inp NAND Gate SO14	TEXAS INSTRUMENTS	152	22.73
SN74LVC00AD	Quad 2Inp NAND Gate SO14	TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC00AD	Quad 2Inp NAND Gate SO14
SN74LVC00AD	Quad 2Inp NAND Gate SO14	TEXAS
SN74LVC00AD	Quad 2Inp NAND Gate SO14	4-7 НЕДЕЛЬ	658
SN74LVC02AD	Quad 2Inp NOR Gate SO14	TEXAS INSTRUMENTS	3	66.53
SN74LVC02AD	Quad 2Inp NOR Gate SO14		168	18.50
SN74LVC02AD	Quad 2Inp NOR Gate SO14	TEXAS INSTRUMENTS	9
SN74LVC02AD	Quad 2Inp NOR Gate SO14	TEXAS
SN74LVC02AD	Quad 2Inp NOR Gate SO14	4-7 НЕДЕЛЬ	564