Версия для печати
Технические характеристики IRFZ44NSPBF

Power - Max	3.8W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	49A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5 mOhm @ 25A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	FAIR
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	MCC
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )		1 788	2.39
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP	16 000
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS	28 085
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NEXPERIA
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SUNTAN
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	WUXI XUYANG	10 248	1.40
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SEMTECH	78	1.85
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	HOTTECH	58	1.84  >100 шт.   0.92
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	1
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PLINGSEMIC	38 896	1.62  >100 шт.   0.81
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	41 207	2.12
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		20 400	1.27
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	998
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	105
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	420	5.47
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 193	1.30
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	23 848	1.52
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	11 200	1.75
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	11 424	2.12
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YJ	16 808	1.72  >100 шт.   0.86
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KEEN SIDE	21 848	1.40  >100 шт.   0.70
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNCON (SUN ELEC INDUSTRIES)	80	1.67
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTC
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
		MC34119D		Маломощный УНЧ	UTRON
		MC34119D		Маломощный УНЧ			48.60
		MC34119D		Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
		MC34119D		Маломощный УНЧ	MOT
		MC34119D		Маломощный УНЧ	4-7 НЕДЕЛЬ	752
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	266	63.24
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...			35.12
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...	МЕКСИКА
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...	TEXAS
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		OP07CD		Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	409
		SK24			DIC
		SK24			DC COMPONENTS	144	4.97
		SK24			SMK
		SK24				19 200	1.81
		SK24			DIOTEC	12	6.94
		SK24			OTHER
		SK24			КИТАЙ
		SK24			JSCJ	23 681	3.01
		SK24			MDD

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"