| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
HARRIS
|
8
|
112.44
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
NIPPON
|
|
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
|
|
67.04
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BUZ11 |
|
Транзистор полевой N-Канальный 50V, 30A, 75W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 50А 1000В (MB5010) |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
202
|
38.74
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
7 634
|
16.74
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
19 212
|
7.12
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
3 817
|
5.72
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
28
|
6.20
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
1605
|
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
КИТАЙ
|
1
|
18.01
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
970
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 106
|
15.06
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
40.60
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
MOTOROLA
|
52
|
40.60
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
|
15
|
42.78
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
JSMSEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
Версия для печати
