| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
240
|
36.30
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
YAGEO
|
5 316
|
1.03
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
4 827
|
8.08
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
1 445
|
3.19
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
70 592
|
2.78
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 397
|
6.20
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
335
|
4.79
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
60 466
|
2.32
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
8 572
|
4.89
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
5.81
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
277
|
6.32
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
28 775
|
2.35
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
12 800
|
2.05
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
45 600
|
2.21
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.84
|
|
|
|
|
HER104 (1A 300V) |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
