| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
4 591
|
6.90
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
965
|
2.96
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
40 787
|
5.34
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
24.20
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 264
|
8.27
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
399
|
4.54
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
41 662
|
3.00
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
8 280
|
4.83
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
3.10
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
77
|
11.06
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
21 867
|
1.80
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
6 000
|
2.03
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
45 600
|
2.19
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
28 536
|
2.39
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.69
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KEEN SIDE
|
80
|
2.86
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
8560
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
|
|
69.64
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TOKYO PARTS
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TP-MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AS4330R3R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
RCH114NP-332KB |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
RCH114NP-332KB |
|
|
|
|
37.76
|
|
|
|
 |
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
33.06
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
24
|
83.25
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
24
|
83.25
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
30
|
48.49
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
3 448
|
39.82
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
Версия для печати
