| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
2.78
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
5.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
17 716
|
1.25
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
14 151
|
2.80
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
360 424
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
2.78
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.26
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
453
|
1.05
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
424 272
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
796
|
1.48
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
107 033
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
79 820
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KEEN SIDE
|
83 997
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MERRYELC
|
36
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
211 667
|
2.87
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DIOTEC
|
30 960
|
5.36
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
12 000
|
1.61
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
HOTTECH
|
66 956
|
1.92
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
LGE
|
2 137
|
2.07
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMTECH
|
16
|
1.10
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
KEEN SIDE
|
12 946
|
1.37
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
TAK CHEONG
|
240
|
1.43
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SUNTAN
|
22 500
|
1.61
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP3063DR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
280
|
|
|
|
|
T410-600T |
|
Симистор на 4а, 600в, логический уровень
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
T410-600T |
|
Симистор на 4а, 600в, логический уровень
|
|
|
|
|
|
|
T410-600T |
|
Симистор на 4а, 600в, логический уровень
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
К10-17-2СА-Н90-0.33МКФ |
|
|
|
|
|
|