| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BC817W |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817W |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BC817W |
|
|
PHILIPS
|
6 400
|
|
|
|
|
|
BC817W |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
BC817W |
|
|
JSCJ
|
2 907
|
1.57
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
2.16
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1
|
3.06
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONS
|
80 684
|
3.48
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONSEMI
|
400
|
2.36
|
|
|
|
|
S1041-2 80A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
S1041-2 80A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TPS62110RSAT |
|
|
|
3
|
|
|
|
|
|
TPS62110RSAT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS62110RSAT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS62110RSAT |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TPS62110RSAT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
100
|
|
|
 |
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
|
8
|
147.20
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
8
|
408.24
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
