IRFR024NTRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 47 UF 63V 105C 812 (JWCO) | 4 368 | 1.88 | ||||||
| BC857C/T1 |
|
4.64 | ||||||
| BC857C/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BC857C/T1 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC857C/T1 | YONGYUTAI | 72 000 |
1.35 >500 шт. 0.45 |
|||||
| CC1070RSQ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| CC1070RSQ |
|
274.44 | ||||||
| CC1070RSQ | TEXAS |
|
|
|||||
| CC1070RSQ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 390 |
|
|||||
| HJR4102-L-12VDC-S-Z | TIANBO | 1 600 | 44.94 | |||||
| HJR4102-L-12VDC-S-Z | TIANBO RELAY |
|
|
|||||
| MC34119G-S08-R | UTC | 34 196 | 10.43 | |||||
| MC34119G-S08-R |
|
|
||||||
| MC34119G-S08-R | UNISONIC TECHNOLOGIES | 682 | 12.33 | |||||
| MC34119G-S08-R | UNISONIC | 2 000 | 19.20 | |||||
| MC34119G-S08-R | 4-7 НЕДЕЛЬ | 144 |
|
