|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BC556A |
|
Транзистор биполярный малой мощности |
|
5.72 | ||
|
|
|
BC556A |
|
Транзистор биполярный малой мощности | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BC556A |
|
Транзистор биполярный малой мощности | DIOTEC |
|
|
|
|
|
|
BC556A |
|
Транзистор биполярный малой мощности | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BC556A |
|
Транзистор биполярный малой мощности |
|
|
||
| BC857C/T1 |
|
4.64 | ||||||
| BC857C/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BC857C/T1 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| CC1070RSQ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| CC1070RSQ |
|
274.44 | ||||||
| CC1070RSQ | TEXAS |
|
|
|||||
| CC1070RSQ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 390 |
|
|||||
| LM2904 SO-8 |
|
|
||||||
| RC1206JR-071K5L | YAGEO | 144 904 |
0.80 >1000 шт. 0.16 |
|||||
| RC1206JR-071K5L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206JR-071K5L |
|
|