IRFR024NTRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100 UF 63V 105C 812 (JWCO) | 14 880 | 2.67 | ||||||
| 100 UF 63V 105C 812 (JWCO) | JWCO |
|
|
|||||
 |
 |
IRFR9024NTRLPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRFR9024NTRLPBF |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
IRFR9024NTRLPBF |
|
|
|
|||
| MC34119G-S08-R | UTC | 12 722 | 9.30 | |||||
| MC34119G-S08-R |
|
|
||||||
| MC34119G-S08-R | UNISONIC TECHNOLOGIES | 762 | 12.35 | |||||
| MC34119G-S08-R | UNISONIC | 2 000 | 19.20 | |||||
| MC34119G-S08-R | 4-7 НЕДЕЛЬ | 144 |
|
|||||
| STM8S003F3P6 | ST MICROELECTRONICS | 72 | 38.58 | |||||
| STM8S003F3P6 | 3 | 163.80 | ||||||
| STM8S003F3P6 | 3 | 163.80 | ||||||
| STM8S003F3P6 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | 1 |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 149 |
|
|||||
| WK 2200UF 35V (16X25MM) 20% / EWK1VM222L25OC | AISHI | 956 | 18.55 |
