ATTINY84-20MU
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 20-WFQFN Exposed Pad |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 512 x 8 |
| EEPROM Size | 512 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 8KB (4K x 16) |
| Число вводов/выводов | 12 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
| Подключения | USI |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | AVR |
| Серия | AVR® ATtiny |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% | BOURNS | 4 208 | 36.16 | |
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% |
|
85.60 | ||
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% | BOURNS |
|
|
|
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R | SILICONIX |
|
|
|||
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R | VISHAY | 1 | 181.50 | |||
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R | SILICONIX | 530 |
|
|||
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R | Vishay/Siliconix |
|
|
|||
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R |
|
|
||||
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R | 4-7 НЕДЕЛЬ | 558 |
|
|||
| С2-29В- 0.25ВТ 100 ОМ 0.25% |
|
|
||||||
| С2-29В-0,125-13 КОМ-0,1% | 433 | 14.80 | ||||||
| С2-29В-0,125-25,5 КОМ-0,1% | 175 | 14.80 |
