| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ATTINY84-20MU |
|
|
ATMEL
|
136
|
466.40
|
|
|
|
|
ATTINY84-20MU |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY84-20MU |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY84-20MU |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
385
|
|
|
 |
 |
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15%
|
BOURNS
|
4 048
|
25.83
|
|
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15%
|
|
|
85.60
|
|
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15%
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15%
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
FREESCALE
|
|
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
|
|
551.60
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
Freescale Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
FRS
|
|
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
FREESCALE SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
NXP/FRS
|
1 964
|
756.84
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
SGTL5000XNAA3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
444
|
|
|
|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
VISHAY
|
1
|
187.58
|
|
|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
SILICONIX
|
530
|
|
|
|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
|
|
|
|
|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
558
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
181
|
36.80
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
7 344
|
42.40
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
9185
|
|
|
|
Версия для печати
