|
КП507А - Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, изготавлены по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом. |
Версия для печати
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, изготавлен по эпитаксиально-планарной технологии
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS315 |
|
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPS71501DCKR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
TPS71501DCKR | 5 408 | 34.39 | |||||
|
|
TPS71501DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 423 |
|
||||
|
|
TPS71501DCKR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TPS71501DCKR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 633 |
|
||||
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | 10 020 | 31.28 | ||
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | МИНСК | 11 711 | 35.70 | |
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | ИНТЕГРАЛ | 1 760 | 89.89 | |
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП505А |
|
N-mon, 50В, 1Вт | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 172 | 60.48 | ||
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 1 149 | 33.60 | |
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| КП509А9 |
|
28.80 | ||||||
| КП509А9 | МИНСК |
|
|
|||||
| КП509А9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| КП523А |
|
24.00 | ||||||
| КП523А | МИНСК |
|
|
|||||
| КП523А | ИНТЕГРАЛ |
|
|