Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Дисплейные модули, индикаторы

Синонимы от поставщиков: WH1602B-YYK-CTK ; WH-1602B ; WH 1602B ; WH — 1602B ; WH1602B ; индикатор WH1602B ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		81 666	2.67
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	912	4.15
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	17 997	3.94
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	11.60
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	7 219	12.56
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	439	4.61
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	2 208	5.10
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	14 400	2.75
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGZHOU YANGJIE
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	MICRO CHIP
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O			258.12
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	Microchip Technology
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	MICRO CHIP
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	ТАИЛАНД
		PIC16F648A-I/P		Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O	4-7 НЕДЕЛЬ	301
		TL431BQDBZR			TEXAS INSTRUMENTS	152	7.78
		TL431BQDBZR			NXP
		TL431BQDBZR					237.20
		TL431BQDBZR			TEXAS
		TL431BQDBZR			NEX-NXP
		TL431BQDBZR			4-7 НЕДЕЛЬ	467
		С2-23 -0.25 ВТ 1 МОМ 1%
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М					30.76
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"