Версия для печати
Технические характеристики LM2903DG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	General Purpose
Число элементов	2
Тип выхода	CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Напряжение питания	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Output Type	CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4744A (15V 1W)		Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	DC COMPONENTS
		1N4744A (15V 1W)		Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	ST MICROELECTRONICS
		1N4744A (15V 1W)		Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		81 262	2.67
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	40	16.53
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	32 320	2.89
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	11.53
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	6 883	6.20
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	6 098	3.99
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	1 651	3.28
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	1 200	2.47
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGZHOU YANGJIE
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNCO	31 160	3.23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	KEEN SIDE	447	2.38
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MERRYELC	4 504	3.44
		TECAP 10/20V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 20 В	VISHAY
		TECAP 10/20V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 20 В	AVX
		TLV1117-33CDCYR			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV1117-33CDCYR
		TLV1117-33CDCYR			TEXAS INSTRUMENTS	40
		TLV1117-33CDCYR			TEXAS
		TLV1117-33CDCYR			4-7 НЕДЕЛЬ	471
		TPS5430DDAR			TEXAS INSTRUMENTS	1 865	115.50
		TPS5430DDAR				14 020	21.22
		TPS5430DDAR			TEXAS INSTRUMENTS	823
		TPS5430DDAR			TEXAS
		TPS5430DDAR			TEXAS INSTRUMEN
		TPS5430DDAR			TEXASINSTRUMENTS
		TPS5430DDAR			SIPEX	121	105.00
		TPS5430DDAR			4-7 НЕДЕЛЬ	228

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"