Версия для печати
Технические характеристики LM2903DG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	General Purpose
Число элементов	2
Тип выхода	CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Напряжение питания	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Output Type	CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4744A (15V 1W)		Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	DC COMPONENTS
		1N4744A (15V 1W)		Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	ST MICROELECTRONICS
		1N4744A (15V 1W)		Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	FAIRCHILD
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	8	7.50
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR	16	19.74
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		80 396	2.72
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	32 040	7.54
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	13.47
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	6 163	6.20
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	1 269	3.10
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	1 492	3.55
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	8 400	2.61
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGZHOU YANGJIE
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNCO	140	6.21
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	KEEN SIDE
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MERRYELC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	4469
		TLV1117-33CDCYR			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV1117-33CDCYR
		TLV1117-33CDCYR			TEXAS INSTRUMENTS	40
		TLV1117-33CDCYR			TEXAS
		TLV1117-33CDCYR			4-7 НЕДЕЛЬ
		TPS5430DDAR			TEXAS INSTRUMENTS	4 172	82.66
		TPS5430DDAR				1 828	148.80
		TPS5430DDAR			TEXAS INSTRUMENTS	823
		TPS5430DDAR			TEXAS
		TPS5430DDAR			TEXAS INSTRUMEN
		TPS5430DDAR			TEXASINSTRUMENTS
		TPS5430DDAR			SIPEX	87	93.00
		TPS5430DDAR			4-7 НЕДЕЛЬ
		TPS5430DDAR			152
		TPS5430DDAR			2285

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"