|
Версия для печати
| Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 500 |
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В | 500 |
| Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 8 |
| Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А | 80 |
| Рабочая температура,С | -40…125 |
| Особенности | запираемый |
| Корпус | TO220AB |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | FAIR |
|
|
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | 1 | 249.48 | ||
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
DM0365R |
|
SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w | 4-7 НЕДЕЛЬ | 784 |
|
|
|
|
|
IRF1405PBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF1405PBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W | INFINEON | 432 | 64.65 | |
|
|
|
IRF1405PBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W | 740 | 51.62 | ||
| LNBP13A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LNBP13A | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| LNBP13A | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| LNBP13A | ST1 |
|
|
|||||
| LNBP13A | 1 | 589.68 | ||||||
| LNBP13A | 1 |
|
|
|||||
| LNBP13A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 32 |
|
|||||
| W49180 |
|
Светодиод мощности 4Вт белый 105Лм 93° с | SEOUL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| W49180 |
|
Светодиод мощности 4Вт белый 105Лм 93° с |
|
|
||||
| WZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт белый 105Лм 120° | SEOUL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| WZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт белый 105Лм 120° |
|
136.80 |