| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
|
|
7.24
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
48
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC517 |
|
Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZV85-C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный 3мA, 4.7В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV85-C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный 3мA, 4.7В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV85-C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный 3мA, 4.7В
|
NXP
|
34 372
|
|
|
|
|
BZV85-C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный 3мA, 4.7В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ24T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ24T1G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ24T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
369
|
|
|
|
|
|
MMSZ24T1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ24T1G |
|
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ24T1G |
|
|
533
|
|
1.33
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
3 493
|
13.43
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
9 542
|
8.16
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
152 605
|
4.70
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
25 817
|
5.62
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
472
|
6.20
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
110
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
1605
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
КИТАЙ
|
1
|
4.50
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
970
|
|
6.67
|
|