PMV213SN
N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 20V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMV213SN (MOSFET) N-канальный uTrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0603-4.7К 5% |
|
ЧИП — резистор 100 мВт, 4,7 коОм, 5%, 1,*0,8*0,45 | FAITHFUL LINK |
|
|
|
|
|
|
0603-4.7К 5% |
|
ЧИП — резистор 100 мВт, 4,7 коОм, 5%, 1,*0,8*0,45 |
|
1.52 >100 шт. 0.76 |
||
| BLM18BB100SN1D |
|
Частотный фильтр | MURATA |
|
|
|||
| BLM18BB100SN1D |
|
Частотный фильтр | 72 | 5.84 | ||||
| BLM18BB100SN1D |
|
Частотный фильтр | MURATA |
|
|
|||
| BLM18BB100SN1D |
|
Частотный фильтр | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| BLM18BB100SN1D |
|
Частотный фильтр | 0.00 |
|
|
|||
| CDRH4D28NP-100NC | SUMIDA | 20 675 | 35.81 | |||||
| CDRH4D28NP-100NC |
|
52.20 | ||||||
| CDRH4D28NP-100NC | SUM |
|
|
|||||
| CDRH4D28NP-100NC | SUMIDA |
|
|
|||||
|
|
SN65HVD234D | TEXAS INSTRUMENTS | 16 | 77.04 | ||||
|
|
SN65HVD234D | 18 | 101.75 | |||||
|
|
SN65HVD234D | США |
|
|
||||
|
|
SN65HVD234D | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
||||
|
|
SN65HVD234D | TEXAS |
|
|
||||
|
|
SN65HVD234D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 680 |
|
||||
|
|
SN65HVD234D | 20 |
|
|
||||
| ЧИП 0603 30.1К 1% | YAGEO |
|
|
