| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
604
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONSEMI
|
1
|
4.15
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
TECH PUB
|
5 049
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
 |
 |
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
1 015
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.96
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
630 658
|
1.67
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
22 552
|
2.28
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
48 490
|
2.82
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
275
|
2.77
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
7 208
|
1.86
|
|
|
|
|
FQD1N50TM |
|
|
|
|
56.00
|
|
|
|
|
FQD1N50TM |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
IRL620S |
|
Hexfet® power mosfet
|
|
|
229.40
|
|
|
|
|
IRL620S |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRL620S |
|
Hexfet® power mosfet
|
SILICONIX
|
24
|
|
|
|
|
|
IRL630 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRL630 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRL630 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
74.32
|
|
|
|
|
IRL630 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRL540 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRL540 |
|
|
|
|
120.00
|
|
|
|
|
IRL540 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
VN10LP |
|
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
|
|
316.00
|
|
|
|
|
VN10LP |
|
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
|
VN10LP |
|
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
ZETEX
|
23
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
|
|
|
570
|
252.93
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
|
|
SILICONIX
|
800
|
|
|
|
|
|
SUM110P06-07L-E3 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
FDB8441 |
|
N-channel powertrench mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDB8441 |
|
N-channel powertrench mosfet
|
FSC
|
|
|
|
