|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFBC40PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 57 435 | 1.01 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 420 913 | 1.22 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 71 806 | 2.77 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 184 359 | 1.38 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 5.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
2 128 | 3.70 | |||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 27 | 1.51 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 60 724 | 1.06 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 27 200 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS | 2 311 | 1.38 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 33 296 | 1.44 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 29 972 | 1.17 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 48 071 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 85 | 1.62 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 1 |
1.44 >100 шт. 0.72 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEEN SIDE | 365 162 |
1.08 >100 шт. 0.54 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
MERRYELC | 212 786 | 1.52 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
82582 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
81682 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TRR | 521 840 |
1.34 >100 шт. 0.67 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
71682 |
|
|
||
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | FAIR |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | 1 | 410.76 | ||
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | NS |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | FSC |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | ONS |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS | 4-7 НЕДЕЛЬ | 103 |
|
|
| TLE4905L (05 L) | INFINEON |
|
|
|||||
| КТ8116А | 1 | 120.96 | ||||||
| КТ8116А | МИНСК |
|
|
|||||
| КТ8116А | ЗПП МИНСК |
|
|
|||||
| КТ8116А | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| КТ8116А | БРЯНСК |
|
|
|||||
| КТ8116А | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|||||
| КТ8116А | RUS |
|
|
|||||
| КТ8116А | РОССИЯ |
|
|
|||||
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | 9 117 | 49.81 | ||
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | МИНСК | 18 108 | 50.88 | |
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | ТРАНЗИСТОР МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | ИНТЕГРАЛ | 2 240 | 123.98 | |
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | РОССИЯ |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | 12231 |
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц | 13221 |
|
|