|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFP4229PBF |
|
Транзистор N-канальный 250V 44A 310W 0,046R
|
INFINEON
|
485
|
202.99
|
|
|
|
IRFP4229PBF |
|
Транзистор N-канальный 250V 44A 310W 0,046R
|
|
|
|
|
|
|
IRFS3206 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFS3206 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFS3206 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
|
|
184.20
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STW8NK80Z |
|
N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-247 zener-protected supermesh™ power mosfet
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
IRF7220PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный 14V 11A 2,5W 0,012R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7220PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный 14V 11A 2,5W 0,012R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7220PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный 14V 11A 2,5W 0,012R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF6775MTR1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
|
|
55.44
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
SILICONIX
|
380
|
|
|
|
|
SPP04N80C3 |
|
Транзистор
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP04N80C3 |
|
Транзистор
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP04N80C3 |
|
Транзистор
|
|
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
|
|
97.40
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONS
|
5 792
|
5.01
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
604
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONSEMI
|
8
|
5.06
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
TECH PUB
|
13 998
|
1.34
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
1 015
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY
|
112
|
180.12
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|