| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
HGTG20N60A4D |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
IXGH32N170A |
|
1700V 32A 350W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
IXGH32N170A |
|
1700V 32A 350W
|
|
|
5 296.00
|
|
|
|
|
IXGH32N170A |
|
1700V 32A 350W
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
HGT1S20N60C3S9A |
|
|
|
|
940.00
|
|
|
|
|
HGT1S20N60C3S9A |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
 |
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
|
|
996.16
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SGW50N60HS |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 100А
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
IRG4IBC20FDPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
678
|
197.85
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
444
|
223.62
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
444
|
223.62
|
|
|
|
|
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
240
|
133.29
|
|
|
|
|
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
300
|
238.78
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
29
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
INFINEON
|
80
|
1 148.82
|
|
|
|
|
IRG4BC30UDPBF |
|
БТИЗ f=8:60kHz Vces = 600V, maxVce(on) = 1.95V, Ic(@25°C) = 23A TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
362.88
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
|
|
293.68
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 40A, 160W (UltraFast)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
380.84
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
