|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRG4PH40UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH40UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
357.68
|
|
|
|
IRG4PH40UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PH40UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IKW75N60T |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IKW75N60T |
|
|
|
|
1 020.00
|
|
|
|
IKW75N60T |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IGW25T120 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IGW25T120 |
|
|
|
|
565.60
|
|
|
|
IGW25T120 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FGH60N6S2 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH60N6S2 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH60N6S2 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH60N6S2 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
|
|
2 400.00
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N-
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FGL40N120AND |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGL40N120AND |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
STGB20NC60V |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB20NC60V |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а
|
|
|
|
|
|
|
STGB20NC60V |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB30NC60K |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60W |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60W |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
|
|
|
|
|
|
STGW50NC60W |
|
N-канальный ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 55 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGW50NC60W |
|
N-канальный ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 55 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGW50NC60W |
|
N-канальный ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 55 а
|
|
|
|
|
|
|
GT80J101 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
GT80J101 |
|
|
|
|
768.00
|
|
|
|
IRGP4063D |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP4063D |
|
|
|
|
1 196.00
|
|