HGTG5N120BND
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21A |
| Power - Max | 167W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247 |
| Product Change Notification | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25RIA120 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| 25RIA120 | VISHAY |
|
|
|||||
| 25RIA120 |
|
2 294.80 | ||||||
| 25RIA120 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| 25RIA120 | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||||
| 25RIA120 | AMERICA SEMICONDUCTOR | 49 |
|
|||||
| BAS21LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAS21LT1G |
|
|
||||||
| BAS21LT1G | ONS | 11 429 | 3.85 | |||||
| BAS21LT1G | ON SEMIC |
|
|
|||||
| BAS21LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 640 |
|
|||||
| BAS21LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAS21LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BAS21LT1G | LRC |
|
|
|||||
| MKP1O122204C00JSSD |
|
Пленочный конденсатор 0.022 мкФ 900 В | WIM |
|
|
|||
| MKP1O122204C00JSSD |
|
Пленочный конденсатор 0.022 мкФ 900 В |
|
|
||||
| RC0805FR-0747RL | YAGEO | 157 314 |
1.02 >500 шт. 0.34 |
|||||
| RC0805FR-0747RL |
|
|
||||||
| RC0805JR-074K7L | YAGEO | 684 465 |
0.78 >500 шт. 0.26 |
|||||
| RC0805JR-074K7L | PHYCOMP | 6 400 |
|
|||||
| RC0805JR-074K7L |
|
|
||||||
| RC0805JR-074K7L | YAGEO |
|
|
