Версия для печати
Технические характеристики SGW15N120
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 15A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Power - Max | 198W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
SGP15N120 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Fast IGBT In Npt-technology
Также в этом файле:
SGW15N120
Производитель:
Infineon Technologies AG
|
