| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
M440T1MV |
|
Энергонезависимая sram объемом 32мб с функцией хранения реального времени
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M45PE10 |
|
1мб, 75мгц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная flash память с ...
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M45PE16 |
|
16мб, 75мгц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная flash память с ...
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M45PE20 |
|
2мб, 75мгц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная flash память с ...
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M45PE40 |
|
2мб, 75мгц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная flash память с ...
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M45PE80 |
|
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
|
M48T128V |
|
Энергонезависимая sram объемом 1мб с функцией хранения реального времени
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z02 |
|
Энергонезависимая sram объемом 16кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z08 |
|
Энергонезависимая sram объемом 64кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z12 |
|
Энергонезависимая sram объемом 16кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z128 |
|
Энергонезависимая sram объемом 1мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z128V |
|
Энергонезависимая sram объемом 1мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z128Y |
|
Энергонезависимая sram объемом 1мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z129V |
|
Энергонезависимая sram объемом 1мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z129Y |
|
Энергонезависимая sram объемом 1мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z18 |
|
Энергонезависимая sram объемом 64кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z2M1V |
|
Энергонезависимая sram объемом 16мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z2M1Y |
|
Энергонезависимая sram объемом 16мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z32V |
|
Энергонезависимая sram объемом 256кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z35 |
|
Энергонезависимая sram объемом 256кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z35AV |
|
Энергонезависимая sram объемом 256кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z35Y |
|
Энергонезависимая sram объемом 256кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z512A |
|
Энергонезависимая sram объемом 4мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z512AV |
|
Энергонезависимая sram объемом 4мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z512AY |
|
Энергонезависимая sram объемом 4мб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z58 |
|
Энергонезависимая sram объемом 64кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M48Z58Y |
|
Энергонезависимая sram объемом 64кб с функцией долговременного хранения данных
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M5M51008D-55H |
|
1мб sram (128к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M51008D-70H |
|
1мб sram (128к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5256D-55L |
|
256кб sram (32к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5256D-70 |
|
256кб sram (32к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5V108D-70H |
|
1 mb sram (128к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5V208AKV-55H |
|
2 mb sram (256к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5V208AKV-70H |
|
2 mb sram (256к x 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5V216ATP-55H |
|
2 mb sram (128к x 16 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5V216ATP-70H |
|
2 mb sram (128к x 16 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5W816WG-55H |
|
8 mb sram (512к x 16 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5W816WG-70H |
|
8 mb sram (512к x 16 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5W816WG-85H |
|
8 mb sram (512к x 16 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5W817KT-70HI |
|
8 mb sram (512к x 16 бит/ 1м х 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
M5M5W817KT-70HI |
|
8 mb sram (512к x 16 бит/ 1м х 8 бит)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
MR0A08B |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 8 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR0A08BC |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 8 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR0A08BM |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 8 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR0A16A |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 64к х 16 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR0A16AV |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 64к х 16 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR0A16AС |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 64к х 16 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR1A16A |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 16 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR1A16AC |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 16 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MR1A16AV |
|
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 128к х 16 бит
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
|
|
