| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
FAN7392MX SO16 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
 |
 |
FQPF55N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF55N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF55N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF55N10 |
|
100v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FT232RQ |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FTDI
|
|
|
|
|
|
|
FT232RQ |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
|
|
680.00
|
|
|
|
|
FT232RQ |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
|
|
|
|
|
|
|
FT232RQ |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FT232RQ |
|
Микросхема двунаправленный преобраз. USB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
249
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
|
784
|
61.39
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
YJ
|
1 578
|
80.04
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
GENERAL
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3506W |
|
Диодный мост 35A 420V(RMS) Draht
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
IPS6011S |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF2903Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF2903Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
310.00
|
|
|
|
|
IRF2903Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF2903Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFH6200TR2 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9140N |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9140N |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W
|
|
|
130.28
|
|
|
|
|
IRFP9140N |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9140N |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFPC60PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный (Vси = 600В, Rоткр = 0.4Ом, Id(25°C) = 16A)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFPC60PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный (Vси = 600В, Rоткр = 0.4Ом, Id(25°C) = 16A)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFPC60PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный (Vси = 600В, Rоткр = 0.4Ом, Id(25°C) = 16A)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRFPC60PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный (Vси = 600В, Rоткр = 0.4Ом, Id(25°C) = 16A)
|
SILICONIX
|
57
|
|
|
|
|
|
IRFPC60PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный (Vси = 600В, Rоткр = 0.4Ом, Id(25°C) = 16A)
|
|
564
|
348.24
|
|
|
|
|
IRLZ44Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLZ44Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLZ44Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040D3ST |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
K9F1208R0C-JIB0 |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
K9F1208R0C-JIB0 |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
