Версия для печати
Технические характеристики IRFP9140N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	97nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRFP9140N (P-канальные транзисторные модули) Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP9140N datasheet 143.98Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5200+2SA1943 ПАРА		Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)	TOS
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	NXP	1 372	42.00
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	PHILIPS	80	54.81
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	TOBE
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс		525	19.59
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	PHILIPS	130
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	NXP SEMIC
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	КИТАЙ
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	NEXPERIA
		BT137-600E		Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс	WEIDA
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	385	24.31
		IRFP140N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP140N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W		1	203.50
		IRFP140N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W	INFINEON
		IRFP140N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W	1
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...			143.40
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	МЕКСИКА
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	INFINEON
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	IR/VISHAY
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	KLS
		IRFP150N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...	EVVO	2 876	81.51

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"