| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
LMP7732MA |
|
|
|
|
780.00
|
|
|
|
|
LMP7732MA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
304
|
|
|
|
|
|
MAX761CSA |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX761CSA |
|
|
|
|
756.00
|
|
|
|
|
MAX761CSA |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MAX761CSA |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX761CSA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
352
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
|
|
580.00
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
США
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
642
|
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
19
|
439.33
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
|
2
|
529.20
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
1
|
|
|
|
|
|
|
REF191GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
767
|
|
|
|
|
|
TA1316AN |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TA1316AN |
|
|
|
|
880.00
|
|
|
|
|
TA1316AN |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
TA1316AN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
622
|
|
|
 |
 |
TL071CN |
|
Операционный усилитель малошумящий 1 канал JFET, 6 ...36В, 1.4мА, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL071CN |
|
Операционный усилитель малошумящий 1 канал JFET, 6 ...36В, 1.4мА, 4МГц
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
TL071CN |
|
Операционный усилитель малошумящий 1 канал JFET, 6 ...36В, 1.4мА, 4МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL071CN |
|
Операционный усилитель малошумящий 1 канал JFET, 6 ...36В, 1.4мА, 4МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TL071CN |
|
Операционный усилитель малошумящий 1 канал JFET, 6 ...36В, 1.4мА, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL071CN |
|
Операционный усилитель малошумящий 1 канал JFET, 6 ...36В, 1.4мА, 4МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
351
|
|
|
|
|
|
3362W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3362W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
|
|
|
|
|
|
|
3362W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3362W-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
KNP-5W-0.33 1% |
|
|
|
|
36.60
|
|
|
|
|
MF-0.125-4.7 1% |
|
|
|
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
2010-4.7К 5% |
|
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
WSL12065L000FEA18 |
|
|
|
|
248.00
|
|
|
|
|
WSL12065L000FEA18 |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
WSL12065L000FEA18 |
|
|
VISHAY
|
1 417
|
|
|
|
|
|
LRW5SN-JYKY-1-Z |
|
|
|
|
624.00
|
|
|
|
|
MAC210A10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MAC210A10 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
2N5320 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2N5322 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF7811AV |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
70.00
|
|
