| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ST802RT1BFR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
 |
STB40NF10 |
|
N-channel 100v - 0.025? - 50a - d2pak low gate charge stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STB40NF10 |
|
N-channel 100v - 0.025? - 50a - d2pak low gate charge stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGD7NB120S-1 |
|
N-канальный igbt-транзистор на 1200 в, 7 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD7NB120S-1 |
|
N-канальный igbt-транзистор на 1200 в, 7 а семейства powermesh™
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
74
|
170.97
|
|
|
|
|
STGP14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60K |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 8 а семейства powermesh™ с защитой от короткого ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60K |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 8 а семейства powermesh™ с защитой от короткого ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
74
|
74.34
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGP8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW19NC60WD |
|
N-канальный ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N90D |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 900 в, 30 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N90D |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 900 в, 30 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NC120HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 32 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NC120HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 32 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NC120HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 32 а
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 584
|
34.56
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
STP22NF03L |
|
N-channel 30 v, 0.0038 ?, 22 a, to-220 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP22NF03L |
|
N-channel 30 v, 0.0038 ?, 22 a, to-220 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
19
|
|
|
|
|
|
STP22NF03L |
|
N-channel 30 v, 0.0038 ?, 22 a, to-220 stripfet™ ii power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP80NF55-08 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 80A, 300W)
|
ST MICROELECTRONICS
|
99
|
207.64
|
|
|
|
|
STP80NF55-08 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 80A, 300W)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP80NF55-08 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 80A, 300W)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP80NF55-08 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 80A, 300W)
|
|
|
|
|
|
|
|
STR58041A |
|
SMPS
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STR58041A |
|
SMPS
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STR58041A |
|
SMPS
|
|
|
278.72
|
|
|
|
|
STR58041A |
|
SMPS
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STR58041A |
|
SMPS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STR58041A |
|
SMPS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
335
|
|
|
|
|
|
STV40N05 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STV40N05 |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
STV40N05 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
84
|
|
|
|
|
|
SY100ELT22ZC |
|
|
SYNERGY SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SY100ELT22ZC |
|
|
SYNERGY SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SY100ELT22ZC |
|
|
Micrel Inc
|
|
|
|
|
|
|
T1010H-6T |
|
Высокотемпературный симистор с на 10а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
T1010H-6T |
|
Высокотемпературный симистор с на 10а, 600в
|
|
|
152.60
|
|
|
|
|
T1010H-6T |
|
Высокотемпературный симистор с на 10а, 600в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
T1235-800G |
|
Симистор на 12 ампер 800 вольт, бесснабберный
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
