Версия для печати
Технические характеристики IRFR220NPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	VISHAY
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C			18.80
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	Vishay/Semiconductors
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	КИТАЙ
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INFINEON	1	10.62
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LGE
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LUGUANG	5 046	13.21
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SMCMICRO
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SUNMATE	11 199	1.61
		EXB-28V101JX			Panasonic - ECG
		EXB-28V101JX				2
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	144.00
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
		SP0504SHTG			LTL
		SP0504SHTG
		SP0504SHTG			LITTELFUSE
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	GENERAL SEMICONDUCTOR
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	MASTER INSTRUMENT CO
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	Fairchild Semiconductor
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	FAIR
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	DC COMPONENTS	50	5.05
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	YJ	8 640	2.24
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	ONS-FAIR
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	ONS
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	DACO
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G		44 160	2.11
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	0.00
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	ONSEMI	8	3.62
		SS19		датчик Холла аналог биполярный -/+400G	TOSHIBA	4	1.89

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"